晶丰明源半导体 AC-DC事业部、快充产品技术市场经理 沈鸿云发表了《晶丰明源USB-PD产品介绍》为主题的演讲，演讲主要内容为晶丰明源新推出的一系列快充产品，并对晶丰明源公司进行了介绍。晶丰明源于2008年成立于上海，是首家科创板上市的电源管理类芯片设计公司（股票代码：688368）。总部位于上海，在杭州、成都、南京和深圳设有研发中心，在苏州、厦门、中山、青岛等地设有销售和技术支持中心。晶丰明源是LED照明驱动IC细分市场龙头，市场占有率全球领先。近年来公司积极拓展业务，全面布局中高端芯片市场。针对快充应用，晶丰明源推出了基于光耦反馈的快充产品和磁耦通信的快充产品，其中光耦反馈的初级芯片内置650V耐压的MOS管，内部集成高压启动，待机功耗小于75mW，满足六级能耗要求。支持CCM和DCM工作模式，能够在低压和高压均保持较高的效率，支持18~25W快充应用。芯片内置过载保护和恒功率保护。晶丰明源还推出了内置IGBT结构复合功率开关管的BP87112，支持全电压输入下20W功率，支持恒功率输出，支持输出电压过压和欠压保护功能，支持过温降功率，支持CCM和DCM工作模式，具有超高的性价比。同时晶丰明源还推出了适配两款初级芯片应用的BP62110系列同步整流控制器，采用SOT23封装，超小体积。芯片具备10nS超短关断延迟，VD脚具有120V高耐压优势，可以通过Slew脚斜率检测调整，防止误导通。支持CCM&DCM和QR工作模式，满足快充充电器应用。同时基于BP62110同步整流控制器，晶丰明源还推出了三款内置同步整流管的同步整流芯片，分别为BP6211B/C/M，BP6211B和BP6211C内置60V耐压同步整流管，BP6211M内置100V耐压同步整流管，支持正端和负端应用。通过使用BP87112和BP6211B两颗高集成芯片，搭配协议芯片，可以实现超高性价比的QC3.0快充适配器应用。晶丰明源在本次展会上重点介绍了新推出的磁耦通信的快充产品，磁耦通讯具有速度快，低功耗，高可靠性，寿命长等诸多优势，适合高可靠性和高效率开关电源应用，避免光耦老化带来的电压漂移。晶丰明源BP87422是一颗低频磁耦的初级主控芯片，内置IGBT结构的复合开关管，支持高压直驱，无需辅助供电，无VCC电容，待机功耗小于75mW，实测230Vac待机功耗小于50mW，满足六级能效，外围精简，具有超高性价比。晶丰明源专利的磁耦通讯反馈元件BP818，与光耦外观相同，已经通过了全球安规认证。BP432B是一颗副边磁耦反馈控制器，芯片内部集成恒压控制和磁耦发射单元，芯片采用ACOT控制算法，具有超快速的动态响应。BP432B采用SOT23-6封装，整体方案满足20W超高性价比应用。晶丰明源推出的BP87516是一颗内置高压MOS的初级主控芯片，使用辅助绕组供电可以将待机功耗降低到10mW以下，实测230Vac输入时，待机功耗仅为8mW。并采用ESOP-10封装加强散热。与之搭配的BP432B支持精确的输出过压和欠压保护，并内置输出过压放电功能，适合35W以内PD快充应用。在展会上，晶丰明源还带来了一款高频磁耦方案，原边控制器集成高压启动和X电容放电功能，并集成了GaN和MOSFET驱动器，支持140KHz工作频率，内置超宽Vcc电压供电模块，副边控制器采用QFN4*4封装，内部集成同步整流控制器，支持恒压恒流和恒功率输出，恒压精度达到10mV，恒流精度达到20mA。副边芯片支持I2C通信，可通过I2C接口进行电压电流调整，并可以实现副边控制器工作状态实时测量和播报。原边控制器支持输入过压和欠压保护，并且支持Vcc供电的过压和欠压保护，集成电流取样电阻开路和短路保护，集成LPS限流保护，降低系统的整体成本。芯片内部还集成过温保护，集成磁耦通讯模块开路和短路保护。副边控制器支持精确的过压和欠压保护，内置同步整流管短路保护，具备I2C通讯异常保护，内置过温保护功能，支持外置NTC过温保护，支持温度上报，并集成输出短路保护和VBUS MOS前后电容的放电功能。副边的控制器内部还集成了强大的寄存器，支持输出电压设定，输出过压保护点设定，支持输出欠压保护设定，支持10mV/Step调整精度。恒流值设定和恒功率拐点设定也支持I2C设定，支持I2C读取工作状态。晶丰明源展出了一款33W的PD快充应用实例，这款方案支持85~264Vac输入，输出支持5V3A，9V3A，15V2A，20V1.5A，支持PPS3.3~11V3A输出。方案采用BP87526+BP62610+BP818芯片方案。在90Vac输入时，满载效率高于90%。这款33W快充方案采用两块PCB焊接组成，协议芯片和磁耦控制芯片焊接在垂直小板上。PCB背面焊接整流桥，初级主控芯片，磁耦和同步整流管。另外一款是晶丰明源推出的65W快充应用方案，这款方案支持85~264Vac输入，输出支持5V3A，9V3A，15V3A，20V3.25A，支持PPS3.3~11V6A输出。这款方案支持10mV/Step精度的电压调整，并支持20mA/Step的高精度电流调整。PCBA使用两块PCB焊接组成，变压器包裹胶带绝缘，空间利用率高，体积小巧。BP87618是一颗内置氮化镓的合封芯片，采用ESOP-10封装，空载待机功耗在全电压范围内小于30mW，65W输出下，230Vac输入转换效率达到94.3%，在115Vac输入时转换效率达到93.9%，适合小体积快充应用。晶丰明源已经推出了包括光耦反馈的低频CCM/DCM方案，支持18~25W输出功率。磁耦反馈包括低频和高频两种，其中低频磁耦反馈的方案可以支持20~35W应用，工作频率为65KHz。高频磁耦方面包括内置MOS的BP87526+BP62610方案，支持30~35W功率，内置GaN的BP87616+BP62610的30~35W方案，以及BP87618+BP62610的65W方案，还有BP87610磁耦控制器，直驱GaN，可支持65W以上功率。在本次亚洲充电展上，晶丰明源展出了多款USB PD快充方案，根据不同功率具有多种选择，具有超低待机功耗和外围精简的优势，能够满足不同功率段快充适配器应用。晶丰明源发挥自身优势，专注于芯片设计，实现了效率与成本的优化。磁耦反馈引入到快充电源，可以实现更快速，更可靠以及更低待机功耗的电源设计，搭配晶丰明源新推出的合封氮化镓芯片以及高集成电源芯片，可以轻松的实现低待机功耗，高可靠性的电源设计。芯片组具备丰富的保护功能，能够满足厂商对于高效率，高性能，小体积的追求，同时极具成本优势。
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